压控振荡器vco的寄生电容寄生电阻怎么测

LZ说的应该是晶体的负载电容。这个电容量取决于晶体，它是晶体的一个基本参数。就是说，同样是12M的晶体，负载电容有10PF,12PF,18PF,20PF等等，都是根据客户的电路设计要求来做的。这个电容的大小会直接影响到实际振荡频率（这个最关键），以及工作稳定性（次之）。晶体的负载电容可以用专用仪器测出，但是普通电子工程师往往手头没有这个仪器。对于普通应用的单片机来说，振荡频率的要求可能不是最关键的（晶体可以轻松达到100PPM量级的准确度），而稳定性更重要，因为一旦停振了单片机也就OVER了。因此在不知道所用晶体的负载电容的情况下，这个电容宜大不宜小，相对大一些会提高稳定性，当然也会降低一些振荡频率。一般说来这个负载电容取10-20PF左右都是没有问题的。需要注意的是，负载电容都是成对应用的，而这两个电容的等效电容是串联关系，相当于小一半，再考虑到单片机芯片内部电容和电路分布电容，一般取略大于负载电容的2倍即可。例如，对于负载电容10PF，可以选用两个15PF的电容；而对于15PF左右的负载电容，可以选用两个22PF。

实验三　晶体振荡器与压控振荡器一、实验目的1．掌握晶体振荡器与压控振荡器的基本工作原理。2．比较LC振荡器和晶体振荡器的频率稳定度。二、实验内容1．熟悉振荡器模块各元件及其作用。2．分析与比较LC振荡器与晶体振荡器的频率稳定度。3．改变变容二极管的偏置电压，观察振荡器输出频率的变化。三、基本原理图3-1 正弦波振荡器（4.5MHz）信号流程：Q3振荡至Q2跟随至Q1谐振选频放大输出；调频W1（压控调谐，电调谐），调幅W21．晶体振荡器：将开关

S_{2}

S

2

​

的2拨下（断开）、1拨上，

S_{1}

S

1

​

全部断开（拨下），由

Q_{3}

Q

3

​

、

C_{13}

C

13

​

、

C_{20}

C

20

​

、晶体CRY1与

C_{10}

C

10

​

构成晶体振荡器（皮尔斯振荡电路），在振荡频率上晶体等效为电感。2．压控振荡器（VCO）：将

S_{1}

S

1

​

的1或2拨上，

S_{2}

S

2

​

的1拨下、2拨上（不接CRY1石英晶体），则变容二极管

D_{1}

D

1

​

、

D_{2}

D

2

​

并联在电感

L_{2}

L

2

​

两端。当调节电位器W1时，

D_{1}

D

1

​

、

D_{2}

D

2

​

两端的反向偏压随之改变，从而改变了

D_{1}

D

1

​

和

D_{2}

D

2

​

的结电容Cj ，也就改变了振荡电路的等效电容，使振荡频率发生变化。其交流等效电路如图3-2所示。图3-2 压控振荡器交流等效电路图3．晶体压控振荡器开关

S_{1}

S

1

​

的1接通或2接通，

S_{2}

S

2

​

的1接通，就构成了晶体压控振荡器。四、实验步骤1．将电路接成LC振荡器，在室混温下记下振荡频率、振荡幅度于表3-1（示波器接于J1处）。S1关，

S_{2}

S

2

​

交替接通2（LC振荡器）和1（晶体振荡器），或S2的1、2都通，并将数据记于下表中。表3-1

S2状态 振荡器 振荡频率 振荡电压

2通 LC振荡器

1通 晶体振荡器

1、2通 并联L的晶体振荡器

2．两种压控振荡器的频率变化范围1) 将电路连接成压控振荡器，示波器接于J1，直流电压表（万用表）

测出的漏感是视在漏感，实际上是寄生电容和寄生电感的综合反映。

另外一方面，磁芯材料在不同的频率下的电磁常数不相同也会造成很大的不同。用网络分析仪可以准确测出整个频域相应。导磁率固然与频率有关，与磁场强度也有关，以楼主的变压器为例， 在1KHz和10KHz时，感抗相差10倍，如果是电桥恒压测试，电感的电流会差几倍，工作点不同，感量便会有分别。